Subscriu-te a les nostres xarxes socials per a una publicació ràpida
L'avenç de les tecnologies làser de semiconductors ha estat transformador, impulsant millores notables en el rendiment, l'eficiència operativa i la durabilitat d'aquests làsers.Les versions d'alta potència s'utilitzen cada cop més en un espectre d'aplicacions, que van des d'usos comercials en la fabricació de làser, dispositius mèdics terapèutics i solucions de visualització visual fins a comunicacions estratègiques, tant terrestres com extraterrestres, i sistemes d'orientació avançats.Aquests làsers sofisticats estan a l'avantguarda de diversos sectors industrials d'avantguarda i es troben al cor de la rivalitat tecnològica mundial entre les nacions líders.
Presentació de la propera generació de piles de barres de díodes làser
Abraçant l'empenta dels dispositius més petits i eficients, la nostra empresa s'enorgulleix de presentar elsèrie refrigerada per conduccióLM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0.Aquesta sèrie representa un salt endavant, incorporant unió de coalescència al buit d'avantguarda, material d'interfície, tecnologia de fusió i gestió tèrmica dinàmica per aconseguir productes altament integrats, que funcionen amb una eficiència notable i tenen un control tèrmic superior per a una fiabilitat sostinguda i una vida útil més llarga. .
Afrontant el repte d'augmentar les demandes de concentració d'energia impulsada pel canvi a la miniaturització de tota la indústria, hem dissenyat la unitat pionera LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0.Aquest model innovador aconsegueix una reducció espectacular del to dels productes de barres convencionals de 0,73 mm a 0,38 mm, comprimint substancialment l'àrea d'emissió de la pila.Amb la capacitat d'allotjar fins a 10 bars, aquesta millora amplifica la sortida del dispositiu a més de 2000 W, cosa que representa un augment del 92% en la densitat de potència òptica respecte als seus predecessors.
Disseny Modular
El nostre model LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 és l'epítom d'una enginyeria meticulosa, combinant funcionalitat amb un disseny compacte que ofereix una versatilitat inigualable.La seva construcció duradora i l'ús de components de primera qualitat garanteixen un funcionament coherent amb un manteniment mínim, reduint les interrupcions operatives i els costos associats, un avantatge crític en sectors com la fabricació industrial i la sanitat.
Pionera en solucions de gestió tèrmica
El LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 aprofita materials tèrmicament conductors superiors que s'alineen amb el coeficient d'expansió tèrmica (CTE) de la barra, garantint uniformitat i dispersió de calor excepcional.Apliquem l'anàlisi d'elements finits per predir i gestionar el paisatge tèrmic del dispositiu, aconseguint una regulació precisa de la temperatura mitjançant una combinació innovadora de modelatge tèrmic transitori i en estat estacionari.
Control rigorós de processos
Adherint-se als mètodes tradicionals però eficaços de soldadura de soldadura dura, els nostres protocols de control de processos meticulosos mantenen una dissipació tèrmica òptima, salvaguardant la integritat operativa del producte, així com la seva seguretat i longevitat.
Especificacions del producte
El model LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 es caracteritza pel seu factor de forma diminut, pes reduït, eficiència de conversió electroòptica superior, fiabilitat robusta i una vida útil ampliada.
| Paràmetre | Especificació |
| Model de producte | LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 |
| Mode operatiu | QCW |
| Freqüència de pols | ≤50 Hz |
| Amplada del pols | 200 nosaltres |
| Eficiència | ≤1% |
| Parcela de bar | 0,38 mm |
| Potència per barra | 200 W |
| Nombre de barres | ～10 |
| Longitud d'ona central (25 °C) | 808 nm |
| Amplada espectral | 2 nm |
| Amplada espectral FWHM | ≤4 nm |
| 90% d'amplada de potència | ≤6 nm |
| Divergència d'eix ràpid (FWHM) | 35 (típic) ° |
| Divergència d'eix lent (FWHM) | 8 (típic) ° |
| Mètode de refredament | TE |
| Coeficient de temperatura de longitud d'ona | ≤0,28 nm/°C |
| Corrent de funcionament | ≤220 A |
| Llindar de corrent | ≤25 A |
| Tensió de funcionament | ≤2 V |
| Eficiència de pendent per barra | ≥1,1 W/A |
| Eficiència de conversió | ≥55% |
| Temperatura de funcionament | -45~70 °C |
| Temperatura del magatzem | -55~85 °C |
| Vida de servei | ≥1×10⁹ trets |
Solucions làser compactes i d'alta potència a mida
Les nostres piles làser de semiconductors d'avantguarda, compactes i d'alta potència estan dissenyades per ser altament adaptables.Adaptats per satisfer les especificacions individuals dels clients, com ara el recompte de barres, la potència de sortida i la longitud d'ona, els nostres productes són un testimoni del nostre compromís d'oferir solucions versàtils i innovadores.El marc modular d'aquestes unitats garanteix que es puguin adaptar a una àmplia gamma d'usos, atenent a una clientela diversa.La nostra dedicació a ser pioneres en solucions personalitzades ha portat a la creació de productes de barra amb una densitat de potència inigualable, millorant l'experiència de l'usuari d'una manera mai abans possible.
Hora de publicació: 25-12-2023